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芯片失效分析:decap、FIB汽车芯片分析报告

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2021-06-10 09:26
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企业信息

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 芯片失效分析(FA测试)
  芯片失效分析测试项目:
  光学检查(VI/OM);
  扫描电镜检查(FIB/SEM);
  微光分析定位(EMMI/InGaAs);
  OBIRCH;
  微探针测试(Micro-probe);
  聚焦离子束微观分析(Dualbeam-FIB);
  弹坑试验(cratering);
  芯片开封(decap);
  芯片去层(delayer);
  晶格缺陷试验(化学法);
  PN结染色/码染色试验;
  推拉力测试(WBP/WBS);
  红墨水试验;PCBA切片分析(X-section);
  GRGT目前具有以下芯片相关测试能力及技术服务能力:
  芯片可靠性验证(RA):
  芯片级预处理(PC)&MSL试验、J-STD-020&JESD22-A113;
  高温存储试验(HTSL),JESD22-A103;
  温度循环试验(TC),JESD22-A104;
  温湿度试验(TH/THB),JESD22-A101;
  高加速应力试验(HTSL/HAST),JESD22-A110;
  高温老化寿命试验(HTOL),JESD22-A108;
  芯片静电测试(ESD):
  人体放电模式测试(HBM),JS001;
  元器件充放电模式测试(CDM),JS002;
  闩锁测试(LU),JESD78;
  TLP;Surge/EOS/EFT;
  芯片材料分析:
  高分辨TEM(形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF);
  SEM(形貌观察、截面观察、膜厚测量、EBSD);
  Raman(Raman光谱);AFM(微观表面形貌分析、台阶测量);
  广州广电计量检测股份有限公司(GRGT)失效分析实验室AEC-Q技术团队,执行过大量的AEC-Q测试案例,积累了丰富的认证试验经验,可为您提供更专业、更可靠的AEC-Q认证试验服务。
  芯片测试地点:广电计量-广州总部试验室、广电计量-上海浦东试验室。
  芯片测试业务咨询及技术交流:
  GRGT张工186-2090+8348;
  zhanghp grgtest.com

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