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芯片高温老化寿命试验(HTOL),芯片可靠性验证

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2021-06-10 09:24
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 芯片高温老化寿命试验(HTOL)
  高温老化寿命试验(HTOL)
  参考标准:JESD22-A108;
  测试条件:
  For devices containing NVM,endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.
  Grade 0:+150℃Ta for 1000 hours.
  Grade 1:+125℃Ta for 1000 hours.
  Grade 2:+105℃Ta for 1000 hours.
  Grade 3:+85℃Ta for 1000 hours.
  Vcc(max)at which dc and ac parametric are guaranteed.Thermal shut-down shall not occur during this test.
  TEST before and after HTOL at room,hot,and cold temperature.
  广州广电计量检测股份有限公司(GRGT)是原信息产业部电子602计量站,经过50余年的发展,现已成为一家全国化、综合性的国有第三方计量检测机构,专注于为客户提供计量、检测、认证以及技术咨询与培训等专业技术服务,在计量校准、可靠性与环境试验、元器件筛选与失效分析检测、车规元器件认证测试、电磁兼容检测等多个领域的技术能力及业务规模处于国内*水平。
  GRGT目前具有以下芯片相关测试能力及技术服务能力:
  芯片可靠性验证(RA):
  芯片级预处理(PC)&MSL试验、J-STD-020&JESD22-A113;
  高温存储试验(HTSL),JESD22-A103;
  温度循环试验(TC),JESD22-A104;
  温湿度试验(TH/THB),JESD22-A101;
  高加速应力试验(HTSL/HAST),JESD22-A110;
  高温老化寿命试验(HTOL),JESD22-A108;
  芯片静电测试(ESD):
  人体放电模式测试(HBM),JS001;
  元器件充放电模式测试(CDM),JS002;
  闩锁测试(LU),JESD78;
  TLP;Surge/EOS/EFT;
  芯片IC失效分析(FA):
  光学检查(VI/OM);
  扫描电镜检查(FIB/SEM)
  微光分析定位(EMMI/InGaAs);
  OBIRCH;Micro-probe;
  聚焦离子束微观分析(FIB);
  广州广电计量检测股份有限公司(GRGT)失效分析实验室AEC-Q技术团队,执行过大量的AEC-Q测试案例,积累了丰富的认证试验经验,可为您提供更专业、更可靠的AEC-Q认证试验服务。
  GRGT团队技术能力:
  集成电路失效分析、芯片良率提升、封装工艺管控
  集成电路竞品分析、工艺分析
  芯片级失效分析方案turnkey
  芯片级静电防护测试方案制定与平台实验设计
  静电防护失效整改技术建议
  集成电路可靠性验证
  材料分析技术支持与方案制定
  半导体材料分析手法
  芯片测试地点:广电计量-广州总部试验室、广电计量-上海浦东试验室。
  芯片高温老化寿命试验:
  GRGT张经理186-2090+8348;
  zhanghp grgtest.com
 

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